Samsung sẽ sử dụng quy trình 3nm của TSMC cho đế die HBM thế hệ tiếp theo của Nvidia

TREE NEWS đưa tin: Samsung Electronics sẽ sử dụng quy trình 3 nanomet của TSMC để sản xuất đế die cho các chip HBM tùy chỉnh thế hệ tiếp theo của Nvidia, đánh dấu lần hợp tác đầu tiên của Samsung với TSMC ở giai đoạn sản xuất HBM. Nvidia đã yêu cầu Samsung, SK Hynix và Micron Technology sản xuất đế die NVHBM bằng quy trình của TSMC và sản xuất chip lõi của họ bằng công nghệ DRAM thế hệ thứ sáu.