TREE NEWS 보도: 삼성전자가 엔비디아의 차세대 맞춤형 HBM 칩용 베이스 다이를 생산하기 위해 TSMC의 3나노미터 공정을 사용한다. 이는 삼성이 HBM 제조 단계에서 TSMC와 처음으로 협력하는 것을 의미한다. 엔비디아는 삼성, SK하이닉스, 마이크론 테크놀로지에 TSMC 공정을 활용해 NVHBM 베이스 다이를 제조하고, 6세대 DRAM 기술로 코어 칩을 생산하도록 요청했다.
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