Bóng bán dẫn GaN mới chịu được gần 4000V

TREE NEWS thông tin: Các nhà nghiên cứu tại EPFL đã phát triển một bóng bán dẫn gallium nitride mới với điện áp đánh thủng gần 4000 vôn trong khi vẫn duy trì điện trở thấp. Thiết bị này hướng tới các ứng dụng điện tử công suất điện áp cao trong trung tâm dữ liệu AI, hệ thống năng lượng tái tạo và xe điện. Công trình này xuất hiện trên tạp chí Nature Electronics.