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新型GaNトランジスタ、約4000Vに耐える

EPFLの研究者らは、降伏電圧が約4000ボルトに達し、低抵抗を維持する新しい窒化ガリウムトランジスタを開発しました。このデバイスは、AIデータセンター、再生可能エネルギーシステム、電気自動車における高電圧パワーエレクトロニクスを対象としています。この研究はNature Electronicsに掲載されています。

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