闪存制造“由钨转钼”：设备商迎来超10亿美元新市场
TREE NEWS 报道， 8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis在X平台发布系列推文，阐述了3D NAND闪存制造从钨（Tungsten，W）向钼（Molybdenum，Mo）转型的技术逻辑。3D NAND大约十年前就停止了横向缩小，转而靠垂直堆叠层数来提升存储密度。但当层数突破约300层后，连接每个存储单元的钨字线（word lines）遭遇了物理瓶颈：电阻过高、基于氟的化学工艺导致漏电，以及在超深孔中无法完成有效填充。
SemiAnalysis在推文中表示：“钼不是一种优化，是300层以上NAND的必选项。”与钨相比，钼具备三项关键优势：更低的电阻（带来更快的读写速度）、无需氟基化学工艺，以及在高深宽比结构中更好的填充能力。这三点恰好对应钨在深层堆叠中暴露出的三个核心缺陷，使得材料替换具有技术必然性，而非可选的工程改进。
行业现状：量产仍在2xx层，转折点已至
SemiAnalysis梳理了当前各大厂商的层数位置：铠侠/闪迪（Kioxia/SanDisk）处于218层，美光（Micron）276层，三星（Samsung）286层，SK海力士以321层处于行业前沿。向3xx至4xx层的跃迁正在启动。SemiAnalysis估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。
三大厂商全面押注：三星是先行者，钼字线产品自2024年起已进入量产阶段；美光于2025年在Lam Research的ALTUS Halo设备上启动大规模量产；SK海力士计划于2026年底推出采用钼工艺的375层NAND。
设备商：超10亿美元的新增市场
每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。受益格局方面，Lam Research最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI及中国设备商Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。
投资者要点
- 技术拐点：钨转钼是NAND制造的结构性变化，是突破300层堆叠的必由之路，而非小修小补。
- 设备收入：沉积设备将迎来新的收入来源，2027年超10亿美元，2030年约20亿美元。Lam Research短期受益最大。
- 行业采纳：三星、美光、SK海力士均已明确承诺，提供多年需求催化剂。
- 辐射效应：DRAM和逻辑芯片的跟进将扩大机会范围，利好更广泛的设备供应商。
- 风险：新工艺爬坡执行风险、DRAM/逻辑采用延迟、设备商竞争格局变化都可能影响收益节奏和分布。
总之，NAND行业转向钼是材料创新解锁下一代性能的典型案例。对投资者而言，这凸显了跟踪上游技术转变以识别半导体供应链赢家的重要性。
