TREE NEWS đưa tin: Nvidia đã yêu cầu Samsung Electronics, SK Hynix và Micron sản xuất bộ nhớ NVHBM tùy chỉnh của mình bằng cách sử dụng base die được sản xuất trên quy trình 3nm của TSMC, với core die trên DRAM thế hệ thứ sáu, và Samsung đã quyết định chấp nhận các yêu cầu kỹ thuật này. Samsung cho biết vào ngày 19/10 rằng họ không bình luận về các vấn đề liên quan đến khách hàng.
Nvidia chọn base die 3nm của TSMC cho NVHBM tùy chỉnh, Samsung đồng ý
Chia sẻ lên WeChat
Mở WeChat → Quét mã → nhấn "…" để gửi cho bạn bè hoặc Moments.
Nhấn "…" ở góc trên bên phải, chọn "Gửi cho bạn bè" hoặc "Chia sẻ lên Moments".
Tin liên quan
52 phút trước
Micron tổ chức hội thảo trực tuyến kỹ thuật ngày 21/10 về DRAM, HBM và NAND
1 giờ trước
MiniMax ra mắt mô hình M3.1 Flash với tốc độ nhanh gấp 3 lần, giá thấp hơn 70%
1 giờ trước
World của Sam Altman mang ID chứng minh con người đến các ngân hàng, cảnh báo rủi ro gian lận AI 40 tỷ USD
2 giờ trước
Jitai Technology hợp tác với Eli Lilly về hệ thống phân phối LNP đặc hiệu mô, trị giá lên tới 1,1 tỷ USD
2 giờ trước
MiniMax xác nhận Space Bunny là mô hình của mình, M3.1 Flash sắp ra mắt
2 giờ trước
Trung Quốc công bố ba tiêu chuẩn AI quốc gia cho ngành thép