TREE NEWS 报道， 有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（Base Die）为其生产NVHBM定制高带宽内存，核心裸片（Core Die）则采用第六代DRAM技术，三星电子已决定接受英伟达的技术要求。针对此事，三星电子10月19日回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。
英伟达要求三星、SK海力士、美光以台积电3nm基底裸片生产NVHBM，三星已接受
AI 解读
这条消息的关键不在三星是否接下订单，而在于HBM的竞争维度正从DRAM堆叠转向“逻辑基底裸片+先进制程”。若英伟达确实把基底裸片指定给台积电3nm，存储三巨头在定制HBM上的差异化空间会被压缩，价值重心进一步向代工与封装环节迁移。三星的“不予置评”既未证实也未否认，SK海力士与美光是否同样接受这一架构，以及核心裸片采用第六代DRAM后各家良率能否跟上，是后续值得观察的变量。
由 AI 生成，仅供参考。