TREE NEWS 报道， 兆易创新在投资者关系活动记录表中表示，利基型DRAM产品供需态势虽有缓和但仍短缺，预计价格仍将在高位维持一段时间。公司称，AI快速发展带动存储芯片需求高增及外溢效应，行业主要厂商产能收缩或转移、退出利基市场，利基型存储整体仍将供应紧张。NOR Flash方面，大容量产品价格预计一段时期内温和上涨，中小容量价格保持稳定；SLC NAND Flash因产能释放周期较长，短缺格局预计在较长一段时间内持续。
兆易创新：利基型DRAM仍短缺 价格预计高位维持
AI 解读
这条信息的核心不在“短缺”二字，而在短缺的成因结构：AI需求外溢叠加主要厂商主动收缩或退出利基市场，供给端缺口带有一定持续性，而非单纯周期波动。受影响最直接的是依赖利基DRAM、NOR Flash与SLC NAND的下游应用，其成本压力可能因品类分化而不同——大容量NOR温和上涨、中小容量稳定，SLC NAND则因产能释放慢而更紧。后续值得观察的是主要厂商产能是否回流利基市场，以及AI外溢需求能否延续，这决定了高位价格是阶段性还是更长久的状态。
由 AI 生成，仅供参考。