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미국 주식

Galaxy Microelectronics, 하이엔드 코어 디바이스 프로젝트에 10억 7,800만 위안 투자 예정

Galaxy Microelectronics는 하이엔드 코어 디바이스 산업화 및 혁신 역량 프로젝트에 자체 자금 또는 자체 조달 자금 10억 7,800만 위안을 투자할 것이라고 발표했다. 이 프로젝트는 회사가 이전에 공개한 하이엔드 IC 이산 소자 산업화 기지의 1단계 공장 건설을 이어가는 것으로, 공장 개조, 장비 조달 및 설치, 생산 라인 시운전, 고객 검증을 포함하며 새로운 토목 건설은 없다.

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