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창신테크놀로지, R&D 및 메모리 테스트 기지에 34억 달러 투자 계획

창신테크놀로지(ChangXin Technology)는 신기술 R&D 프로젝트에 241억 위안, 2단계 메모리 웨이퍼 후공정 테스트 기지에 108억 위안을 투자할 계획이라고 밝혔다. 회사는 IPO 초과 조달 자금 중 130억 위안을 R&D 프로젝트에 사용하고, 50억 위안을 완전 자회사인 창신메모리프로덕츠(허페이)(ChangXin Memory Products (Hefei))에 증자 및 대출을 통해 테스트 기지용으로 제공할 예정이다.

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