長鑫科技、研究開発とメモリテスト拠点に34億ドルを投資へ

TREE NEWS 情報： 長鑫科技（ChangXin Technology）は、新技術研究開発プロジェクトに241億元、第2期メモリウェハ後工程テスト拠点に108億元を投資する計画だと発表した。同社はIPOで調達した超過資金のうち130億元を研究開発プロジェクトに充て、50億元を完全子会社の長鑫メモリ製品（合肥）（ChangXin Memory Products (Hefei)）に増資および貸付を通じてテスト拠点向けに提供する。