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三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产下一代HBM基底裸片

三星电子将采用台积电3纳米制程,为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片,这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。业界消息人士透露,英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片,并采用第六代DRAM技术制造其核心芯片。

原文

AI 解读

这条消息的关键不在三星,而在英伟达对供应链的重新编排:把基底裸片交给台积电代工,等于在HBM环节引入原本不属于存储阵营的晶圆代工力量,三星则首次在HBM制造阶段与台积电形成协作关系。受影响最大的是SK海力士与美光——三家存储厂被要求采用同一套台积电工艺路线,存储厂商在先进逻辑制程上的自主空间被压缩,话语权向英伟达与台积电倾斜。后续值得观察的是这一安排能否落实为稳定产能,以及存储厂与代工厂之间的分工边界是否会就此固化。

由 AI 生成,仅供参考。

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