TREE NEWS 消息， 清溢光电公告，其控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟在现有厂房基础上改造并引入新设备扩建生产线，建设高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期，计划总投资不超过15亿元。项目主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版，建设地点为佛山市南海区丹灶镇丹凤路6号，建设期36个月，预计2026年12月开工。资金来源为佛山清溢微自有或自筹资金，不涉及募集资金。
清溢光电子公司拟投资不超15亿元建设高端半导体掩膜版三期项目
AI 解读
掩膜版是半导体制造的关键上游材料，28nm-14nm制程的高端产品长期依赖进口，此次扩建指向的是国产替代中最难啃的一段。项目资金全部来自自有或自筹、不动用募集资金，说明推进节奏更取决于自身现金流而非资本市场窗口。值得关注的是36个月建设期与2026年12月开工的时间表能否兑现，以及扩产后高端掩膜版的客户验证与产能爬坡进度。
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