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새로운 GaN 트랜지스터, 약 4000V 견디다

EPFL 연구진은 항복 전압이 약 4000볼트에 달하면서도 낮은 저항을 유지하는 새로운 질화갈륨 트랜지스터를 개발했습니다. 이 소자는 AI 데이터 센터, 재생 에너지 시스템, 전기 자동차의 고전압 전력 전자 장치를 대상으로 합니다. 이 연구는 Nature Electronics에 게재되었습니다.

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