TREE NEWS 消息， 中国科学院半导体研究所科研团队通过二维范德华异质结界面工程，实现仅0.1纳米尺度的原子层滑移，即可带来千万倍电阻变化，攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的难题。该技术未来有望用于更快速度、更低功耗的数据存储与运算，为存算一体新型计算架构提供方案。相关成果9月11日发表于国际学术期刊《科学》。
中科院团队实现埃米级原子滑移 电阻变化达千万倍
AI 解读
这项成果的分量在于，它把滑移铁电长期存在的开关比与耐久性矛盾，从材料机制层面而非器件工艺层面去破解，0.1纳米尺度就能撬动千万倍电阻变化，说明界面工程对二维范德华异质结的调控精度已进入埃米量级。受影响最大的是存算一体与新型存储路线的研究者，因为它指向的是低功耗、高速度的逻辑与存储融合方案，而非渐进式改良。接下来值得观察的是，这种界面滑移机制能否在阵列化器件中保持一致性，以及从实验室单结走向可制造工艺还差哪几步。
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