中国の科学者たちが抵抗を1000万倍に切り替える原子スリップを実現

TREE NEWS 情報： 中国科学院半導体研究所の研究チームは、二次元ファンデルワールスヘテロ接合界面エンジニアリングを用いて、わずか0.1ナノメートルの原子層スリップを実現し、抵抗の1000万倍の変化を生み出した。このブレークスルーは、スライディング強誘電トンネル接合における高いオン/オフ比と耐久性のトレードオフを解決するものである。この研究成果は9月11日、学術誌Scienceに掲載された。