存储超级周期加码：DRAM/NAND三季度涨价20-30%，云厂商提前锁定明年Q1涨价
TREE NEWS 报道， 内存芯片短缺仍未缓解，价格涨势比预期更为强劲。渠道调研证实，2026年三季度DRAM均价环比上涨20-30%，NAND涨幅超过15%。更值得关注的是，超大规模云厂商已提前签订合同，同意在2027年一季度支付更高的DRAM价格，主动接受涨价并将预期锁定入合同。
这些发现来自美银证券分析师Simon Woo发布的最新内存行业研报。该报告同时上调了长期市场预测，将2030年全球DRAM+NAND总市场规模（TAM）预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元，并预测2027-2030年销售额年复合增速达21%。
供应短缺是核心逻辑
价格持续上涨的根本原因在于供需失衡。报告数据显示，2026年DRAM供需充足率仅约79%，远低于100%的平衡线，直到2027年才逐步回升至接近均衡。NAND情况类似，2026年充足率约80%，2027年才恢复至102%左右。
尽管内存短缺，PC和智能手机的减产幅度并不严重——年初至今出货量同比仅下降约10%。这意味着终端需求尚未大幅崩塌，供需缺口主要源于AI服务器对内存的强劲拉动。AI服务器已占DRAM总出货量的50%以上，主要受高带宽内存（HBM）需求驱动。报告预计，2026年HBM市场规模达774亿美元，同比增长124%，2027年进一步扩张至1528亿美元。
上调2027-2028年价格预期，但2028年将迎软着陆
基于上述供需格局，美银将2027-2028年DRAM均价假设上调8-12%，新预测中2027年均价约为每8Gb当量17.1美元，2028年约16.2美元。NAND均价假设上调2-3%，2027年约10.0美元/256Gb当量，2028年约8.7美元。
但分析师同时指出，预计2028年均价将较2027年下跌约10%（DRAM下跌5%，NAND下跌13%），并将此解读为“2029-2030年新一轮增长前的软着陆阶段”，届时将由更先进的AI及采用高端内存的GPU/ASIC驱动。
市场影响：赢家与输家
股票：三星电子、SK海力士、美光科技等内存芯片制造商，以及铠侠、西部数据等NAND生产商，将从持续的定价权中受益。但设备制造商——尤其是PC和智能手机OEM——面临组件成本上升带来的利润率压力。亚马逊、微软、谷歌等超大规模云厂商可能面临内存资本支出增加，但通过锁定供应保障AI基础设施。
债券：芯片价格上涨带来的通胀压力可能令央行保持谨慎，但除非更广泛地传导至消费电子价格，否则不太可能改变近期利率路径。
大宗商品：内存芯片并非传统大宗商品，但先进封装和基板需求的激增可能间接支撑硅片和特种气体等材料价格。
加密货币：AI驱动的高性能计算需求可能进一步收紧GPU供应，潜在影响加密挖矿经济性，但对加密市场的直接影响有限。
汇率：韩元和日元可能因半导体出口收入强劲而获得支撑，两国均为主要内存制造商的所在地。
投资者关键要点
- 存储超级周期真实存在：2027-2030年DRAM+NAND销售额年复合增速达21%，表明结构性上升趋势，而非单纯的周期性反弹。
- 供应约束持续：2027年前充足率低于100%，定价权牢牢掌握在制造商手中。
- AI是主要需求驱动力：HBM和AI服务器先进内存正在重塑行业，仅HBM市场到2027年就将超过1500亿美元。
- 关注2028年软着陆：价格预计下跌，但幅度温和，随后将迎来新一轮增长。
- 投资启示：考虑配置内存制造商，同时对面临成本压力的设备制造商保持谨慎。更广泛的AI基础设施主题依然完好。
