삼성과 TSMC, 엔비디아 맞춤형 HBM 위해 협력
TREE NEWS 보도: 삼성전자가 TSMC와 협력하여 엔비디아의 차세대 맞춤형 고대역폭 메모리(HBM)인 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC의 3nm 공정으로 생산한다. 이는 삼성이 HBM 제조 단계에서 TSMC와 협력하는 첫 사례다. 엔비디아는 또한 삼성, SK하이닉스, 마이크론에 TSMC의 3nm 베이스 다이를 일괄 채택하고 코어 다이를 6세대 DRAM 1c 공정으로 표준화할 것을 요청하여 공급업체 간 일관성을 강화하고자 한다.
업계 영향: 공급망 역학의 변화
이번 조치는 반도체 공급망의 중대한 전환을 의미한다. 전통적으로 삼성은 HBM의 코어 다이와 베이스 다이를 모두 자체 생산해왔다. 베이스 다이에 TSMC의 3nm 공정을 도입함으로써 삼성은 고성능과 일관성에 대한 엔비디아의 요구에 부응하게 된다. 이 협력은 더욱 표준화된 HBM 솔루션으로 가는 길을 열어 광범위한 AI 및 고성능 컴퓨팅 시장에 이익을 줄 수 있다.
그러나 삼성은 표준 HBM 및 AMD와 같은 다른 고객을 위한 맞춤형 HBM에 대해서는 자체 파운드리 전략을 유지할 것이다. 이 이중 접근 방식은 삼성이 경쟁력을 유지하면서 엔비디아의 특정 요구를 충족할 수 있게 한다. 이 파트너십은 또한 AI 칩 경쟁에서 첨단 패키징 및 공정 기술의 중요성이 커지고 있음을 보여준다.
전망
AI 모델이 복잡해짐에 따라 고성능 메모리에 대한 수요는 계속 증가할 것이다. 엔비디아의 사양에 따라 이루어진 삼성과 TSMC의 이번 협력은 HBM 생산의 새로운 표준을 설정할 수 있다. 또한 글로벌 반도체 산업의 상호 연결성을 강조하며, 경쟁자들조차 선도적인 AI 칩 설계자의 요구를 충족하기 위해 협력해야 함을 보여준다.
앞으로 HBM 기술은 더 높은 대역폭, 낮은 전력 소비, 더 큰 통합에 초점을 맞춘 추가 혁신이 기대된다. 3nm 베이스 다이와 1c DRAM 코어 다이로의 전환은 그 방향으로의 한 걸음이며, 생태계의 다른 플레이어들이 어떻게 대응할지 주목된다.
