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엔비디아, 맞춤형 NVHBM에 TSMC 3nm 베이스 다이 채택…삼성 수용 결정

엔비디아는 TSMC의 3nm 공정으로 제조된 베이스 다이와 6세대 DRAM 코어 다이를 사용해 자사의 맞춤형 NVHBM 메모리를 생산하도록 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론에 요청했으며, 삼성은 기술 요구 사항을 수용하기로 결정했다. 삼성은 10월 19일 고객 관련 사안에 대해서는 언급하지 않는다고 밝혔다.

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