TREE NEWS 报道， SK海力士正迅速扩大第六代10纳米级DRAM工艺1c nm的产能份额。据业内人士透露，其1c DRAM市场份额从今年第一季度的约10%增长至第二季度的13%左右，预计第三季度升至24%，第四季度达34%。明年第一季度，1c nm份额有望攀升至35%左右，首次超过1b（约33%），成为主流工艺。由于1c DRAM将作为核心芯片堆叠HBM，公司正加速工艺转型。
SK海力士1c nm工艺有望2027年初成为主流
AI 解读
SK海力士的1c nm工艺份额提升路径清晰，预计明年一季度将成为主流，这标志着DRAM制程迭代进入新阶段。由于1c DRAM是HBM的核心基础，其产能爬坡速度直接影响高端存储市场的供给结构。值得关注的是，份额超越1b后，公司能否维持这一节奏，以及竞争对手在相同节点的跟进力度，将决定未来存储市场的竞争格局。
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