TREE NEWS 消息， 闪迪董事长兼首席执行官古克勒在分析师电话会议上表示，高带宽闪存（HBF）在第一财季完成首个存储芯片成功流片，计划于下一个日历年交付样品。HBF旨在通过将NAND级容量拉近处理器来补充HBM，以支持更大的模型、更长的上下文长度和不断增长的KV缓存。古克勒还表示，BiCS 8是当前生产的中坚力量，BiCS 9将成熟阵列与下一代CMOS结合，BiCS 10在TLC和QLC上全面推进。
闪迪：HBF存储芯片第一财季成功流片，计划明年交付样品
AI 解读
HBF流片成功把“以NAND补HBM”的设想推进到可验证的工程阶段，对存储厂商与AI推理硬件生态都有指向意义：它瞄准的是大模型上下文与KV缓存吃紧的内存瓶颈，而非通用存储需求。值得观察的是样品交付节奏能否兑现，以及HBF在HBM主导的AI内存体系里被接纳的程度；同期BiCS 8/9/10的路线推进也显示厂商在为容量与成本做多代铺垫。总体看，这是技术路线卡位，尚非商业化落地。
由 AI 生成，仅供参考。