TREE NEWS 报道， 三星电子将利用其位于得克萨斯州泰勒市的第二家代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存（HBM）芯片的基础晶圆。该工厂全部产量已获订单，其中大部分来自AMD，预计本月正式动工。工厂将采用先进2纳米工艺，占地约270万平方英尺，约为第一座工厂面积的1.5倍。设备预计2029年2月开始安装，2030年投入量产。
三星将在得州第二家工厂为AMD和英伟达生产HBM基础晶圆
AI 解读
这条消息的关键不在产能数字，而在于HBM供应链的分工正在被重新切分：三星以基础晶圆切入AMD与英伟达的HBM链条，且订单在动工前已基本锁定，说明下游对先进制程晶圆的长期需求正在被提前预定。影响面主要落在HBM堆叠与封装环节的既有供应格局，以及得州本地先进制程集群的形成节奏。值得观察的是，从本月动工到2029年设备安装、2030年量产之间的时间跨度较长，期间订单结构是否会随客户需求变化而调整，以及2纳米工艺在HBM基础晶圆上的实际落地进度。
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