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新型GaNトランジスタ、4000Vに耐え、商用デバイスの5倍

EPFLの研究者らは、低抵抗を維持しながら約4000ボルトの降伏電圧を持つ窒化ガリウムトランジスタを開発し、商用デバイスを5倍上回る性能を実現した。このデバイスは、AIデータセンター、再生可能エネルギーシステム、電気自動車に利用できる可能性がある。この研究成果はNature Electronicsに掲載された。

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