Đà tăng chip nhớ rạn nứt: DRAM vững vàng trong khi NAND suy yếu
TREE NEWS đưa tin: Lĩnh vực chip nhớ đang có dấu hiệu phân hóa sau một đợt tăng mạnh mẽ. Các nhà phân tích của Bank of America (BofA) cảnh báo trong báo cáo ngày 13/11 rằng thị trường NAND flash đang suy yếu với giá giao ngay giảm mạnh, trong khi giá DRAM vẫn giữ được sức chịu đựng. Điều này đánh dấu sự chuyển dịch khỏi chu kỳ tăng trên diện rộng đã đẩy cổ phiếu bộ nhớ tăng hơn 100% trong năm nay.
Điều gì đã xảy ra
Giá giao ngay NAND đã giảm đáng kể: giá wafer 512Gb giảm hơn 10% so với tuần trước xuống 14,3 USD, và wafer 1Tb giảm ở mức một chữ số trung bình xuống 24,9 USD. Kể từ giữa tháng 10, giá giao ngay NAND đã điều chỉnh khoảng 20%. Ngược lại, giá giao ngay DDR5 16Gb giữ ổn định ở 60,2 USD, tăng 150% so với cùng kỳ năm ngoái. BofA chỉ ra ba tín hiệu cảnh báo đối với NAND: sự điều chỉnh giá giao ngay, đơn hàng yếu đi từ các OEM PC và smartphone cùng các hyperscaler Trung Quốc, và khả năng chậm trễ trong đàm phán giá hợp đồng quý 1/2027. Trong khi đó, giá hợp đồng DRAM tiếp tục tăng, với DDR5 16Gb tăng 5% so với tháng trước trong tháng 10 và module DDR5 cho máy chủ vượt 1.000 USD.
Hàm ý thị trường
Sự phân hóa này có hàm ý quan trọng đối với cổ phiếu bộ nhớ. BofA duy trì quan điểm thận trọng với NAND, dự báo giá NAND cho IT giảm 5-10% so với quý trước trong quý 1/2027, trái với kỳ vọng đồng thuận là tăng hơn 10%. Đối với DRAM, BofA kỳ vọng giá tiếp tục tăng qua quý 4/2026 (+8% so với quý trước) và quý 1/2027 (+5% so với quý trước). Triển vọng này có lợi cho các công ty có tỷ trọng DRAM cao hơn như SK Hynix và Samsung, so với các doanh nghiệp tập trung vào NAND như SanDisk và Western Digital. Khoảng cách định giá rất rõ rệt: SK Hynix giao dịch ở mức P/E 2026 là 3,6 lần, Samsung là 4,7 lần, trong khi Micron là 10,7 lần. Các doanh nghiệp NAND như SanDisk giao dịch ở mức P/E 2027 là 4,3 lần nhưng đối mặt với rủi ro lợi nhuận.
Tâm lý nhà đầu tư đã cải thiện trong tuần này, với nhiều người cho rằng mức giảm của các cổ phiếu có tỷ trọng DRAM cao là hạn chế nhờ nhu cầu trung tâm dữ liệu AI vững chắc, giá DRAM tiếp tục tăng và định giá thấp. Cuộc họp nhà đầu tư của Samsung ngày 12/11 đã củng cố điều này: ban lãnh đạo bày tỏ lạc quan về các thỏa thuận dài hạn HBM và DRAM nhưng đưa ra mục tiêu thị phần HBM thận trọng ở mức 30-40% và lưu ý rằng LPDDR5 vẫn sinh lời cao hơn HBM, cho thấy không có sự dịch chuyển công suất mạnh mẽ. Samsung cũng đưa ra triển vọng kém lạc quan hơn đối với NAND cho IT so với SSD doanh nghiệp, phù hợp với quan điểm thận trọng của BofA.
Những điểm chính cho nhà đầu tư
- DRAM vẫn là lựa chọn an toàn hơn: Nhu cầu trung tâm dữ liệu AI và công suất HBM chiếm chỗ nguồn cung DRAM truyền thống hỗ trợ giá tiếp tục tăng. Các công ty có tỷ trọng DRAM cao mang lại mức đánh đổi rủi ro-lợi nhuận tốt hơn.
- NAND đối mặt với thách thức ngắn hạn: Giá giao ngay yếu, đơn hàng suy giảm và khả năng chậm trễ đàm phán hợp đồng có thể gây áp lực lên giá và lợi nhuận NAND. Thị trường có thể cần định giá lại cổ phiếu NAND theo hướng giảm.
- Định giá hấp dẫn nhưng phân hóa: Cổ phiếu bộ nhớ giao dịch ở mức bội số thấp so với các doanh nghiệp bán dẫn AI cùng ngành, nhưng triển vọng lợi nhuận khác nhau. Các doanh nghiệp DRAM rẻ với lợi nhuận ổn định; các doanh nghiệp NAND rẻ nhưng đối mặt với việc bị hạ xếp hạng.
- Theo dõi đàm phán hợp đồng quý 1/2027: Thời điểm và kết quả của các cuộc đàm phán giá hợp đồng sẽ mang tính quyết định. Nếu đàm phán bị trì hoãn, các nhà sản xuất NAND có thể mất quyền định giá.
- Lập trường HBM thận trọng của Samsung: Dù nhu cầu HBM mạnh, kế hoạch mở rộng công suất dè dặt của Samsung cho thấy ít sự lấn chiếm nguồn cung DRAM, hỗ trợ giá DRAM.
Nhìn chung, chu kỳ tăng của bộ nhớ chưa kết thúc nhưng đang trở nên chọn lọc hơn. Nhà đầu tư nên ưu tiên các mã có đòn bẩy DRAM và tiếp cận NAND một cách thận trọng cho đến khi giá ổn định.
