存储芯片行情分化：DRAM坚挺，NAND悄然走弱
TREE NEWS 报道， 存储芯片市场正从“齐涨”转向“分化”。美银11月13日报告指出，NAND现货价格显著下跌，而DRAM价格依然坚挺。自10月中下旬以来，NAND现货累计回调约20%，512Gb晶圆跌逾10%，1Tb跌近中个位数，而16Gb DDR5现货持平。这一分化可能对存储股投资逻辑产生重大影响。
事件回顾
美银报告显示，NAND现货价格自10月中下旬以来回调约20%，512Gb晶圆现货报14.3美元，周环比跌12%，季度环比跌32%；1Tb报24.9美元，周环比跌4%，季度环比跌19%。相比之下，16Gb DDR5现货报60.2美元，周环比持平，同比涨150%。美银将NAND的担忧归结为三点：现货价格回调、PC与智能手机OEM乃至中国超大规模云厂商的订单走弱、以及2027年第一季度合约价谈判可能被推迟。与此同时，DRAM合约价仍在上涨，16Gb DDR5合约价10月环比再涨5%，服务器端64GB模组价格已突破1000美元。
市场影响
美银维持对2027年第一季度NAND平均售价的谨慎假设：IT用NAND价格环比下降5%至10%，整体低个位数下滑，这与市场仍预期NAND售价上涨10%以上的看法形成明显分歧。对于DRAM，美银仍假设涨价延续至2026年第四季度（环比增8%）和2027年第一季度（增5%）。这一判断利好DRAM权重较高的公司，如SK海力士和三星，而对NAND为主的厂商如SanDisk和西部数据构成压力。估值方面，SK海力士对应2026年市盈率仅3.6倍，三星为4.7倍，美光为10.7倍；NAND阵营中，SanDisk对应2027年市盈率4.3倍，但盈利面临下修风险。
本周投资者情绪有所改善，多数投资者认为DRAM权重较高的公司下行空间有限，理由是美国AI数据中心芯片订单保持韧性、DRAM售价仍在上涨以及估值倍数偏低。三星11月12日的投资者交流会也传递了类似信号：管理层对HBM和DRAM长协价持乐观态度，但给出的HBM份额目标为30%至40%，而非50%以上，且表示LPDDR5盈利能力仍优于HBM，暗示不会激进扩张HBM产能。三星对IT用NAND的指引也不如eSSD乐观，与美银的价格判断一致。
投资者要点
- DRAM仍是更安全的选择： AI数据中心需求和HBM挤占传统DRAM产能支撑价格继续上涨，DRAM权重高的公司风险回报更佳。
- NAND面临短期逆风： 现货价格疲软、订单走弱以及合约谈判可能推迟，可能压制NAND定价和盈利，市场或需对NAND股票重新定价。
- 估值低廉但分化： 存储股相对AI半导体同业估值偏低，但盈利前景各异。DRAM厂商便宜且盈利稳定；NAND厂商便宜但面临下修。
- 关注2027年第一季度合约谈判： 谈判时点和结果至关重要。若谈判推迟，NAND厂商议价能力将被削弱。
- 三星对HBM的保守立场： 尽管HBM需求强劲，但三星克制的产能扩张计划意味着对DRAM供给的挤占较小，支撑DRAM价格。
总体而言，存储上行周期尚未结束，但正变得更具选择性。投资者应青睐DRAM杠杆较高的标的，并对NAND保持谨慎，直到价格企稳。
