TREE NEWS 消息， 纳微半导体宣布获美国陆军研究实验室授予ALATTIS项目，为国防应用开发下一代10 kV碳化硅功率半导体技术，公司股价盘后上涨22%。ALATTIS全称为“加速型大面积10 kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管原型项目”，目标是开发10 kV碳化硅绝缘栅双极型晶体管和PIN二极管的本土制造工艺。该项目由美国陆军研究实验室在DEVCOM框架下资助，并获JETX支持。公告未披露合同金额、期限或工作地点等细节。
纳微半导体获美陆军合同开发10kV碳化硅芯片，盘后涨22%
AI 解读
这条消息的关键不在金额——公告根本没披露金额、期限或地点，而在于它把纳微从消费级氮化镓快充叙事，推进到国防级高压碳化硅的国产化工艺路线。10 kV IGBT与PIN二极管属于电网、牵引和定向能等重型电力电子场景，本土制造要求意味着供应链与资质壁垒会被重新划线，受益方是具备高压SiC工艺积累的厂商，而非单纯的设计公司。盘后22%反映的是市场对“政府背书+技术跃迁”的重新定价，但缺少合同细节，实际收入贡献仍无从判断。后续值得观察的是项目是否披露具体节点与产能落地安排，以及这类国防订单能否从原型走向量产。
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