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米国株

Navitas Semiconductor、次世代SiCチップで米陸軍契約を獲得、株価22%急騰

Navitas Semiconductorは、防衛用途向けの次世代10kV炭化ケイ素(SiC)パワー半導体技術を開発するため、米陸軍研究研究所からALATTISプロジェクトを受注したと発表した。同社の株価は時間外取引で22%上昇した。ALATTISは「Accelerated Large Area 10 kV SiC IGBT Prototype Project」の略で、10kV SiC IGBTおよびPINダイオードの国内製造プロセスを目指すものである。契約金額、期間、作業場所は開示されていない。

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