TREE NEWS 消息， ASML与台积电共同发起一项产业合作倡议，旨在推动向12英寸光掩模转型，以最大化High NA EUV光刻技术的价值。该倡议目标于2031年前建立12英寸光掩模试产线，并于2033年前为先进制程节点生产做好完整光刻系统准备。多家High NA EUV采用者及其他主要供应商已表达加入意向。
ASML与台积电发起12英寸光掩模转型倡议
AI 解读
ASML与台积电联合推动12英寸光掩模转型，实质是围绕High NA EUV构建下一代半导体制造基础设施的关键一步。该倡议将影响先进制程设备与材料供应链的长期技术路线，尤其是光掩模生态的重新洗牌。值得关注的是，其他High NA EUV采用者及供应商是否跟进，以及2031年试产线能否如期落地，这将决定半导体制造向更高精度迁移的节奏。
由 AI 生成，仅供参考。