中国の研究チームが強誘電体材料の耐久性に関するブレークスルーを報告

TREE NEWS 情報： 西安電子科技大学の郝跃院士が率いる研究チームは、香港城市大学と復旦大学の研究者らと共同で、7月11日に強誘電体材料の劣化に関する研究における新たなブレークスルーを報告し、学術誌Scienceに掲載された。この研究は、原子スケールの欠陥挙動をデバイススケールの信頼性に結びつけ、高信頼性・高密度のウルツ鉱型強誘電体メモリを開発するための新たな物理的基盤を提供するものである。